ON Semiconductor安森美MOSFET新品NTBG020N090SC1碳化硅

2020-05-14 09:34 易库易

安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 (SiC) MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片，可确保低电容和栅极变化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系统的好处包括最高效率、更快工作频率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。典型应用包括DC-DC转换器、升压逆变器、UPS、太阳能和电源。

特性

典型值 RDS(on)=20mΩ（典型值）

超低栅极电荷 (QG(tot)=200nC)

低有效输出电容 (Coss=295pF)

100%经雪崩测试

符合RoHS指令

优势

20毫欧

200nC的

295pF

应用

DC-DC转换器

升压逆变器

终端产品

UPS

太阳能的

电源

产品型号：NTBG020N090SC1

碳化硅MOSFET，N沟道，900V，20mΩ，D2PAK-7L

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产品信息

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: SiC

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: D2PAK-7

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 900 V

Id-连续漏极电流: 112 A

Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, 19 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.3 V

Qg-栅极电荷: 200 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 477 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值: 49 S

下降时间: 13 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 52 ns

工厂包装数量: 800

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 58 ns

典型接通延迟时间: 39 ns

NVMFS5C628N功率MOSFET

安森美半导体NVMFS5C628N功率MOSFET是采用高效设计的紧凑型汽车用功率MOSFET，具有较高的散热性能。这些MOSFET采用5mm×6mm扁平引线封装，包括可湿性侧翼选项，用于增强型光学检测。NVMFS5C628N功率MOSFET具有低RDS(on)值、QG值和栅极电容，可最大限度地降低导通和开关损耗。典型应用包括反向电池保护、开关电源、电源开关、电磁阀驱动器、电机控制和负载开关。

特性

占位面积小 (5mm x 6mm)，用于紧凑型设计

汽车设计

低RDS(on)值，可最大限度地降低导通损耗

低QG和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗

NVMFS5C628NWF - 可润湿侧面选项，用于增强型光学检测

符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能

无铅，符合RoHS指令

优势

最小化传导损耗

最小化开关损耗

紧凑的设计和标准尺寸，可直接插入