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MOSFET三极管 漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:5.8A;栅极-源极阈值电压:1.4V @ 250uA;漏源导通电阻:27mΩ@5.8A,10V;最大功耗（Ta = 25°C）:350mW;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:48mΩ@4A,2.5V;漏源导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
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1,200,000
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