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SI7882DP-T1-E3 现货价格, SI7882DP-T1-E3 数据手册

SI7882DP-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
单  价 : 低至¥10.75 低至$1.236
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    • 供应商: Element14 HK
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    • 无铅/RoHs: 符合
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    商品详情 售后保障
    原厂 Vishay 制造商型号 SI7882DP-T1-E3
    供应商 Element14 HK
    新加坡仓
    供应商型号 1470159RL
    类型 MOSFET三极管 批号

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    包装数 -- 包装 --
    产品描述 MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
    规格参数 数值
    FET Type N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
    Vgs (Max) ±8V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    FET Feature
    Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
    Package / Case PowerPAK® SO-8