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SIR882ADP-T1-GE3 现货价格, SIR882ADP-T1-GE3 数据手册

SIR882ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
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    商品详情 售后保障
    原厂 Vishay 制造商型号 SIR882ADP-T1-GE3
    供应商 Element14 HK
    英国仓
    供应商型号 2364096RL
    类型 MOSFET三极管 批号

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    包装数 -- 包装 --
    产品描述 MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
    规格参数 数值
    Series TrenchFET®
    FET Type N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
    Vgs (Max) ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 50V
    FET Feature -
    Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7 mOhm @ 20A, 10V
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
    Package / Case PowerPAK® SO-8