购物车
  • 购物车还没有商品,赶紧选购吧 !
SIR882ADP-T1-GE3 现货价格, SIR882ADP-T1-GE3 数据手册

SIR882ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
活动价 : 低至¥10.10 --
原  价 : 低至¥10.10 (为您节省¥) 低至$0.00 (为您节省$)
  • 库  存 : 621
  • 起订量 : 1
    • 供应商: chip 1 stop
      mov
      供应商起订金额:国内≥¥1,100.00
      关税 该供应商产品报关可能会产生额外关税费用。
    • 无铅/RoHs: 符合
    • 数据手册:

    优惠券
    展开
    交货地
    现货交期 17-20 个工作日
    数量
    加入购物车 获取更多优惠价格? 立即询价
    看了又看
    商品详情 售后保障
    原厂 Vishay 制造商型号 SIR882ADP-T1-GE3
    供应商 chip 1 stop 供应商型号 VISH-0422683
    类型 MOSFET三极管 批号

    --

    包装数 1 包装 --
    产品描述 MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
    规格参数 数值
    Series TrenchFET®
    FET Type N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
    Vgs (Max) ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 50V
    FET Feature -
    Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7 mOhm @ 20A, 10V
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
    Package / Case PowerPAK® SO-8