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SI4896DY-T1-E3 现货价格, SI4896DY-T1-E3 数据手册

SI4896DY-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
单  价 : 低至¥6.43 --
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  • 起订量 : 2500
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    商品详情 售后保障
    原厂 Vishay 制造商型号 SI4896DY-T1-E3
    供应商 chip 1 stop 供应商型号 VISH-0129803
    类型 MOSFET三极管 批号

    --

    包装数 2500 包装 --
    产品描述 MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
    规格参数 数值
    FET Type N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A (Ta)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
    Vgs (Max) ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    FET Feature
    Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 10A, 10V
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package 8-SO
    Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)