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SI4100DY-T1-E3 现货价格, SI4100DY-T1-E3 数据手册

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
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      mov
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    商品详情 售后保障
    原厂 Vishay 制造商型号 SI4100DY-T1-E3
    供应商 chip 1 stop 供应商型号 VISH-0129782
    类型 MOSFET三极管 批号

    --

    包装数 2500 包装 --
    产品描述 MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
    规格参数 数值
    Series TrenchFET®
    FET Type N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
    Vgs (Max) ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 50V
    FET Feature -
    Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 6W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 63 mOhm @ 4.4A, 10V
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package 8-SO
    Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)