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SI7190DP-T1-GE3 现货价格, SI7190DP-T1-GE3 数据手册

SI7190DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
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    原厂 Vishay 制造商型号 SI7190DP-T1-GE3
    供应商 A7B015 货源来自认证的授权分销商,供应商商务原因匿名交易;质量参照易库易平台相关保证条款。 供应商型号 VISSI7190DP-T1-GE3
    类型 MOSFET三极管 批号

    201834

    包装数 3000 包装 --
    产品描述 MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
    规格参数 数值
    Series TrenchFET®
    FET Type N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.4A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
    Vgs (Max) ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2214pF @ 125V
    FET Feature -
    Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta), 96W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 118 mOhm @ 4.4A, 10V
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
    Package / Case PowerPAK® SO-8