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IPB180N10S402ATMA1 现货价格, IPB180N10S402ATMA1 数据手册

IPB180N10S402ATMA1

MOSFET N-CH TO263-7
单  价 : 低至¥31.74 --
  • 库  存 : 排单
  • 起订量 : 1
    • 供应商: Element14 CN
      mov
      供应商起订金额:国内≥¥1,100.00
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    • 无铅/RoHs: 符合
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    商品详情 售后保障
    原厂 Infineon 制造商型号 IPB180N10S402ATMA1
    供应商 Element14 CN
    新加坡仓
    供应商型号 2725842
    类型 MOSFET三极管 批号

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    包装数 -- 包装 --
    产品描述 MOSFET N-CH TO263-7
    规格参数 数值
    Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    FET Type N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 275µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
    Vgs (Max) ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14600pF @ 25V
    FET Feature -
    Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 100A, 10V
    Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package PG-TO263-7-3
    Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)