Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。SiR186LDP MOSFET具有超低RDS Qg品质因数 (FOM)，经过调谐，可实现最低RDS Qoss FOM。Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道 60V (D-S) MOSFET非常适合用于同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器和电机驱动开关应用。

特性

TrenchFET®第四代功率MOSFET

超低RDS - Qg品质因数 (FOM)

经过调谐，可实现最低RDS至Qoss FOM

100%通过Rg和UIS测试

应用

同步整流

一次侧开关

直流/直流转换器

电机驱动开关

电路图

SIR186LDP-T1-RE3

MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 4.4 mO @ 10V, 6.3 mO @ 4.5V

产品种类: MOSFET       

技术: Si     

安装风格: SMD/SMT        

封装/箱体: PowerPAK SO-8        

晶体管极性: N-Channel       

通道数量: 1 Channel        

Vds-漏源极击穿电压: 60V

Id-连续漏极电流: 80.3A      

Rds On-漏源导通电阻: 4.4mOhms     

Vgs - 栅极-源极电压: 20V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5V        

Qg-栅极电荷: 31.5nC   

最小工作温度: - 55℃         

最大工作温度: + 150℃     

Pd-功率耗散:  57W        

通道模式: Enhancement 

商标名: TrenchFET        

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel      

封装: Reel

配置: Single       

晶体管类型: 1 N-Channel         

正向跨导 - 最小值: 54S 

下降时间: 6ns 

产品类型: MOSFET  

上升时间: 6ns 

工厂包装数量: 3000        

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 26ns        

典型接通延迟时间: 11ns

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Vishay / Siliconix SQW61N65EF汽车E系列功率MOSFET

Vishay / Siliconix SQW61N65EF汽车E系列功率MOSFET是采用汽车级E系列技术的单N沟道快速体二极管MOSFET。SQW61N65EF具有缩短的反向恢复时间，反向恢复电荷和反向恢复电流的功能。该器件还具有229nC的栅极电荷和0.045Ω的漏源导通状态电阻，因此具有超低的品质因数（FOM）。符合AEC-Q101标准的SQW61N65EF提供-55°C至+ 175°C的宽工作结温范围，使其非常适用于汽车应用。

Vishay / Siliconix SQW61N65EF汽车E系列功率MOSFET采用3引脚TO-247AD封装，符合RoHS要求且无卤素。

特征

符合AEC-Q101

采用汽车E级系列技术的快速体二极管MOSFET

T J时最大700V漏极-源极电压（V DS）

25°C时650V漏源电压（V DS）

±30V栅源电压（V GS）

0.045Ω漏源导通状态电阻（R DS（on））

229nC栅极电荷（Q g）

低品质因数（FOM）（R DS（on））x Q g

缩短了204ns的反向恢复时间（t rr）

1.9μC反向恢复电荷（Q rr）

18A反向恢复电流（I RRM）

7379pF的低输入电容（C iss）

由于减少了反向恢复电荷，因此开关损耗低

625W最大功率耗散（P d）

雪崩能量额定值（UIS）

-55°C至+ 175°C的工作结温和存储温度范围（T J，T stg）

3引脚TO-247AD封装

无卤素，无铅且符合RoHS

应用领域

汽车车载充电器

汽车DC-DC转换器

SQW61N65EF-GE3

MOSFET Automotive E Series Power MOSFET with Fast Body Diode TO-247AD, 52 mO @ 10V

SQW61N65EF-GE3 点击现货查询

产品种类: MOSFET      

技术: Si     

安装风格: Through Hole  

封装/箱体: TO-247AD-3    

晶体管极性: N-Channel       

通道数量: 1 Channel        

Vds-漏源极击穿电压: 650V       

Id-连续漏极电流: 62A

Rds On-漏源导通电阻: 52mOhms       

Vgs - 栅极-源极电压: -30V, +30V   

Vgs th-栅源极阈值电压: 4V  

Qg-栅极电荷: 229nC     

最小工作温度: -55℃ 

最大工作温度: +175℃     

Pd-功率耗散: 625W      

通道模式: Enhancement 

封装:  Cut Tape 

封装:  Reel

配置:  Single       

晶体管类型: 1 N-Channel    

类型: Automotive E Series Power MOSFET With Fast Body Diode      

下降时间: 102ns     

产品类型: MOSFET  

上升时间: 107ns     

工厂包装数量: 480 

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 252ns     

典型接通延迟时间: 65ns        

单位重量:  6g

内部电路和典型输出

开关时间测试电路

栅极电荷测试电路

包装大纲