Toshiba推出了“TLP5231”,这是一种用于工业到逆变器和光伏(PV)功率调节系统的中到高电流绝缘栅双极晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦合器。新的预驱动光耦合器具有各种内置功能(门信号软关断,故障反馈功能),包括通过监视集电极电压进行过电流检测。目前已经可以发货了。
TLP5231产品示意图
如需了解更多TLP5231订货信息
新型预驱动光耦合器通过使用外部p沟道和n沟道互补MOSFET作为缓冲器来控制中至大电流IGBT和MOSFET的栅极。
当前产品(如:TLP5214,TLP5214A)需要使用由双极型晶体管组成的缓冲电路进行电流放大,在工作期间会消耗基极电流。新产品允许使用外部互补MOSFET缓冲器,从而将电流消耗限制 在缓冲器MOSFET栅极充电或放电期间,从而降低了功耗。
通过更改外部互补MOSFET缓冲器的大小,TLP5231可以为各种IGBT和MOSFET产生所需的栅极电流。TLP5231,MOSFET缓冲器以及IGBT和MOSFET的配置可用作平台来满足系统的电源要求,从而简化了设计。
其他功能包括“门软关断时间”为V接连外部n沟道MOSFET控制CE(饱和的)过电流检测,并且,在除了与V CE(饱和的)过电流检测通过监视集电极电压,UVLO( UVLO:欠压锁定检测),将任何故障信号输出到初级侧。这些新功能是当前产品(如:TLP5214,TLP5214A)中没有的,使用户可以更轻松地设计栅极驱动电路。
TLP5231 应用领域
交流和无刷直流电机控制
工业逆变器和不间断电源(UPS)
光伏(PV)功率调节系统
TLP5231 特征
具有内置有源时序控制的双路输出,适用于驱动p通道和n通道互补MOSFET缓冲器。
当检测到过电流时,可使用另一个外部n沟道MOSFET配置可配置的栅极软关断时间。
当通过监视集电极电压检测到过电流或检测到UVLO时,将在初级侧输出故障信号。
TLP5231 主要规格:
(除非另有说明,@Ta=-40至110℃,典型值@Ta=25℃)
零件型号 | TLP5231 | |
绝对最大额定值 | 峰值高电平输出电流 | -2.5 |
峰值低电平输出电流 | +2.5 | |
电气特性 | V OUTP高电平输出电流 | -1.0 |
V OUTP低电平输出电流 | 1.0 | |
V OUTN高电平输出电流 | -1.0 | |
V OUTN低电平输出电流 | 1.0 | |
高电平电源电流 | 10.2 | |
低电平电源电流 (V CC2)I CC2L最大(mA) | 10.2 | |
高电平电源电流 | -9.2 | |
低电平电源电流 | -9.2 | |
门限输入电流 | 3.5 | |
推荐工作条件 | 总输出电源电压 | 21.5至30 |
负输出电源电压 | -15至-6.5 | |
正输出电源电压 | 15至23.5 | |
开关特性 | 传播延迟时间 | 100至300 |
传播延迟时间 | 100至300 | |
传播延迟偏斜 | -200至200 | |
高电平共模瞬变抗扰度 | ±25 | |
低电平共模瞬变抗扰度 | ±25 | |
功能 | 保护功能 | IGBT V CE(sat)检,紫外线(常见VE) |
反馈(FAULT):在检测V CE(sat)和UVLO时激活(集电极开路输出) | ||
隔离特性 (@T a = 25°C) | 隔离电压 BV S min(Vrms) | 5000 |
机械参数 | 最小间隙(mm) | 8.0 |
爬电距离min(mm) | 8.0 | |
内部隔离厚度 | 0.4 |
---文章来源东芝官网
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