东芝新品光电耦合器TLP5231

2020-04-24 10:18 易库易

Toshiba推出了“TLP5231”,这是一种用于工业到逆变器和光伏(PV)功率调节系统的中到高电流绝缘栅双极晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦合器。新的预驱动光耦合器具有各种内置功能(门信号软关断,故障反馈功能),包括通过监视集电极电压进行过电流检测。目前已经可以发货了。

TLP5231产品示意图


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新型预驱动光耦合器通过使用外部p沟道和n沟道互补MOSFET作为缓冲器来控制中至大电流IGBTMOSFET的栅极。


当前产品(如:TLP5214TLP5214A)需要使用由双极型晶体管组成的缓冲电路进行电流放大,在工作期间会消耗基极电流。新产品允许使用外部互补MOSFET缓冲器,从而将电流消耗限制 在缓冲器MOSFET栅极充电或放电期间,从而降低了功耗。


通过更改外部互补MOSFET缓冲器的大小,TLP5231可以为各种IGBT和MOSFET产生所需的栅极电流。TLP5231MOSFET缓冲器以及IGBTMOSFET的配置可用作平台来满足系统的电源要求,从而简化了设计。


其他功能包括“门软关断时间”为V接连外部n沟道MOSFET控制CE(饱和的)过电流检测,并且,在除了与V CE(饱和的)过电流检测通过监视集电极电压,UVLO( UVLO:欠压锁定检测),将任何故障信号输出到初级侧。这些新功能是当前产品(如:TLP5214TLP5214A)中没有的,使用户可以更轻松地设计栅极驱动电路。


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TLP5231 应用领域

IGBT和功率MOSFET栅极驱动器(预驱动器)

交流和无刷直流电机控制

工业逆变器和不间断电源(UPS)

光伏(PV)功率调节系统


TLP5231 特征

具有内置有源时序控制的双路输出,适用于驱动p通道和n通道互补MOSFET缓冲器。

当检测到过电流时,可使用另一个外部n沟道MOSFET配置可配置的栅极软关断时间。

当通过监视集电极电压检测到过电流或检测到UVLO时,将在初级侧输出故障信号。


TLP5231 主要规格:

(除非另有说明,@Ta=-40至110℃,典型值@Ta=25℃)

零件型号

TLP5231

绝对最大额定值

峰值高电平输出电流
OPH(A)

-2.5

峰值低电平输出电流
OPL(A)

+2.5

电气特性

OUTP高电平输出电流
OUTPH max(A)

-1.0

OUTP低电平输出电流
OUTPL min(A)

1.0

OUTN高电平输出电流
OUTNH max(A)

-1.0

OUTN低电平输出电流
OUTNL最小值(A)

1.0

高电平电源电流
(V CC2)I CC2H最大值mA

10.2

低电平电源电流

(V CC2)I CC2L最大(mA)

10.2

高电平电源电流
(V EE)I EEH最小值mA

-9.2

低电平电源电流
(V EE
EEL最小值(mA)

-9.2

门限输入电流
(H / L)I FHL最大(mA)

3.5

推荐工作条件

总输出电源电压
(V CC2 -V EE)(V)

21.5至30

负输出电源电压
(V E -V EE)(V)

-15至-6.5

正输出电源电压
(V CC2 -V E)(V)

15至23.5

开关特性


传播延迟时间
(L / H)t pLH(ns)

100至300

传播延迟时间
(H / L)t pHL(ns)

100至300

传播延迟偏斜
设备到设备t psk(ns)

-200至200

高电平共模瞬变抗扰度
CM H分钟(kV /μs)

±25

低电平共模瞬变抗扰度
厘米L分钟(kV /μs)

±25

功能

保护功能

IGBT V CE(sat)检,紫外线(常见VE)

反馈(FAULT):在检测V CE(sat)和UVLO时激活(集电极开路输出)

隔离特性

(@T a = 25°C)

隔离电压

BV S min(Vrms)

5000

机械参数

最小间隙(mm)

8.0

爬电距离min(mm)

8.0

内部隔离厚度
最小值毫米

0.4


---文章来源东芝官网